三星的NAND,也被SK海力士超越了

三星的NAND,也被SK海力士超越了

(原标题:三星的NAND,也被SK海力士超越了) 如果您希望可以时常见面,欢迎标星收藏哦~ 来源:内容编译自businesskorea,谢谢。 最近,SK海力士推出首款300层NAND闪存产品,威胁三星电子在存储半导体行业的领先地位。三星电子在高带宽内存(HBM)技术和最近的 DRAM 技术方面被评价为被超越,但在 NAND 堆叠竞争中也失去了领先地位,将其竞争劣势蔓延到各种内存产品中。 SK海力士于11月宣布1月22日,该公司已开始量产321层1Tb(太比特)三层单元(TLC)NAND闪存。...

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